Например, Бобцов

Исследование влияния толщины базы на фотоэлектрические параметры кремниевых солнечных элементов с использованием новых TCAD алгоритмов 

Аннотация:

Программный пакет Sentaurus TCAD широко используется при моделировании полупроводниковых оптоэлектронных устройств. Основную часть моделирования солнечных элементов составляет разработка правильной геометрической модели. Модель можно разработать, используя модуль SDE двумя разными способами: путем написания кода или применения стандартных форм в графической среде. Разработка сложных конструкций солнечных элементов с использованием простых форм занимает много времени и является трудоемкой. В работе выполнено исследование разработок новых алгоритмов создания геометрических моделей солнечных элементов со сложными конструкционными структурами. Разработан универсальный алгоритм солнечных элементов с синусоидальным фронтом p-n перехода и задней мульти-переходной структурой. Используя алгоритм, можно создать модели солнечных элементов от простых до сложных конструкций. Изучена зависимость фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов с p-n и n-p переходами от толщины базы с целью выбора оптимальной толщины для каждого из рассмотренных структур. Установлено, что оптимальная толщина базы составляет 256 мкм для структуры с p-n перехода и 75 мкм — с n-p переходом. Максимальный КПД кремниевых солнечных элементов при выборе толщины базы с p-n переходом в 1,4 раза больше, чем с n-p переходом.

Ключевые слова:

Постоянный URL

Статьи в номере

Содержание © 1993–2024 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Университет ИТМО